STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 397 A 60 V Förbättring, 6 Ben, H2PAK, STH

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

82,54 kr

(exkl. moms)

103,18 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 300 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 982,54 kr
10 - 9955,55 kr
100 - 49940,77 kr
500 - 99932,93 kr
1000 +24,19 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
719-655
Tillv. art.nr:
STH345N6F7-6
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

397A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

H2PAK

Serie

STH

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

1.2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

230nC

Maximal effektförlust Pd

341W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

4.7mm

Bredd

10.4mm

Längd

9.3mm

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET använder STripFET F7-teknik med en förbättrad grindgate-struktur som resulterar i ett mycket lågt motstånd i on-state, samtidigt som den minskar den interna kapaciteten och grindladdningen för snabbare och effektivare omkoppling.

Bland de lägsta RDS(on) på marknaden

Utmärkt FoM (förtjänstvärde)

Lågt Crss/Ciss-förhållande för EMI-immunitet

Hög motståndskraft mot laviner

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.