ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 40 A -40 V Förbättring, 8 Ben, DFN3333T8LSAB, RH7G04CBJFRA AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-463
- Tillv. art.nr:
- RH7G04CBJFRATCB
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 2 enheter)*
18,70 kr
(exkl. moms)
23,38 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 9,35 kr | 18,70 kr |
| 20 - 48 | 8,29 kr | 16,58 kr |
| 50 - 198 | 7,39 kr | 14,78 kr |
| 200 - 998 | 5,935 kr | 11,87 kr |
| 1000 + | 5,77 kr | 11,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-463
- Tillv. art.nr:
- RH7G04CBJFRATCB
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -40V | |
| Serie | RH7G04CBJFRA | |
| Kapseltyp | DFN3333T8LSAB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 17.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 62W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Bredd | 3.4mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 3.4mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -40V | ||
Serie RH7G04CBJFRA | ||
Kapseltyp DFN3333T8LSAB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 17.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 5V | ||
Maximal effektförlust Pd 62W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Bredd 3.4mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 3.4mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- JP
ROHM Power MOSFET är utformad för att leverera exceptionella prestanda i krävande tillämpningar. Denna komponent är speciellt utformad för högeffektiv omkoppling, vilket gör den idealisk för fordon, belysning och andra högtillförlitliga system. Med sina robusta termiska egenskaper, inklusive en maximal effektförlust på 62 W och en imponerande kontinuerlig dräneringsström på ±40 A, säkerställer RH7G04CBJFRA tillförlitlig drift under olika förhållanden. Dessutom integrerar denna MOSFET avancerade funktioner som avalanche-testning och AEC-Q101-kvalificering, vilket garanterar säkerhet och hållbarhet i kritiska miljöer.
Har en låg på-resistans på 17,7 mΩ för förbättrad effektivitet
Levererar en maximal pulserad dräneringsström på ±80 A, vilket möjliggör högpresterande tillämpningar
Använder våtbara flanker för ökad lödans tillförlitlighet
Erbjuder robust termisk resistans för att bibehålla prestanda under tunga belastningar
Fungerar effektivt över ett brett temperaturområde på -55 till +175 °C
Innehåller en 100 % avalanche-testspecifikation för ökad säkerhet
Används i en mängd olika tillämpningar, inklusive ADAS och fordonsbelysning
Levereras med detaljerade förpackningsspecifikationer för användarvänlig integrering
Relaterade länkar
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 40 A -40 V Förbättring, 8 Ben, DFN3333T8LSAB, RH7G04BBJFRAT AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 40 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN3333T8LSAB, RH7G04CBKFRA AEC-Q101
- ROHM N Kanal, MOSFET, 40 A 40 V, 8 Ben, DFN3333T8LSAB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 40 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3G04BBJHRB AEC-Q101
- ROHM P-kanal Kanal, MOSFET, 40 A -30 V, 8 Ben, DFN3333T8LSAB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 68 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, AG502EG AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 40 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG087FGD3HRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, MOSFET, 40 A 100 V, 8 Ben, DFN3333T8LSAB AEC-Q101