ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 68 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, AG502EG AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 646-617
- Tillv. art.nr:
- AG502EGD3HRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 61,60 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 5 enheter)*
51,74 kr
(exkl. moms)
64,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 10,348 kr | 51,74 kr | - |
| 50 - 245 | 9,116 kr | 45,58 kr | 61,60 kr |
| 250 - 495 | 8,176 kr | 40,88 kr | 543,00 kr |
| 500 + | 6,474 kr | 32,37 kr | 1 937,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 646-617
- Tillv. art.nr:
- AG502EGD3HRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 68A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -40V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | AG502EG | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 48.0nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 77W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 68A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -40V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie AG502EG | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 48.0nC | ||
Maximal effektförlust Pd 77W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHMs MOSFET av fordonskvalitet är AEC-Q101-kvalificerad. Perfekt för fordonssystem. Dessa MOSFET-transistorer är 100 procent avalanche-testade.
Låg påslagningsresistans
Pd-fri plätering
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 48 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, AG502EL AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 29 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3 AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 4.5 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3N045AT AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG501EGD3HRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3P08BBLHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 40 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3G04BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 48 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L04BBJHRB AEC-Q101