ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, R8011KNZ4
- RS-artikelnummer:
- 687-457
- Tillv. art.nr:
- R8011KNZ4C13
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Få en mängdrabatt
Lägg till 20 till för att spara 11%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 påse med 2 enheter)*
91,96 kr
(exkl. moms)
114,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 120 enhet(er) från den 16 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per påse* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 45,98 kr | 91,96 kr | - |
| 20 - 98 | 40,48 kr | 80,96 kr | 11% |
| 100 - 198 | 36,355 kr | 72,71 kr | 20% |
| 200 + | 28,625 kr | 57,25 kr | 37% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-457
- Tillv. art.nr:
- R8011KNZ4C13
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | R8011KNZ4 | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.45Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 139W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 40mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 16.24mm | |
| Höjd | 5.22mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie R8011KNZ4 | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.45Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximal effektförlust Pd 139W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 40mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 16.24mm | ||
Höjd 5.22mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM Power MOSFET är utformad för att leverera exceptionell effektivitet och tillförlitlighet i olika applikationer. Med en märkspänning på 800 V och en maximal kontinuerlig dräneringsström på 11 A utmärker sig denna komponent i krävande miljöer. Den är konstruerad för snabb omkoppling och har en låg påslagningsresistans på bara 0,45 Ω, vilket möjliggör minskad effektförlust och effektiv värmehantering. Dess robusta konstruktion säkerställer överensstämmelse med miljöstandarder, inklusive RoHS, vilket gör den till ett praktiskt val för moderna elektroniska konstruktioner som prioriterar hållbarhet tillsammans med prestanda.
Lågt påslagningsmotstånd säkerställer effektiv strömförsörjning
Snabb omkopplingsförmåga optimerar prestanda i höghastighetstillämpningar
Robust konstruktion stöder parallell användning, vilket förbättrar designflexibiliteten
Uppfyller RoHS-standarder, vilket bidrar till miljövänliga konstruktioner
Brett arbetstemperaturområde från -55 till +150 °C säkerställer tillförlitlighet under extrema förhållanden
Termisk resistans ger utmärkt värmehantering i kompakta konstruktioner
Effektiva grindladdningsegenskaper möjliggör enklare integrering i befintliga kretsar
Mångsidiga tillämpningar inom industri, fordons- och konsumentelektronik
Relaterade länkar
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 19 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, R8019KNZ4
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- Infineon N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- onsemi N Kanal, Enkla MOSFETs, 7.6 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247-3, UF3
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 225 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, RX3N10BBH
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 100 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, RX3N07BBH
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 300 A 100 V Förbättring, 8 Ben, DFN8080T8LSHAAI, RY7P250BM
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 105 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3N