ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, R8019KNZ4
- RS-artikelnummer:
- 687-367
- Tillv. art.nr:
- R8019KNZ4C13
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 påse med 2 enheter)*
124,97 kr
(exkl. moms)
156,212 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 18 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per påse* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 62,485 kr | 124,97 kr |
| 20 - 98 | 55,02 kr | 110,04 kr |
| 100 - 198 | 49,385 kr | 98,77 kr |
| 200 + | 38,84 kr | 77,68 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-367
- Tillv. art.nr:
- R8019KNZ4C13
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | R8019KNZ4 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.265Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 208W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 5.22mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 40mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie R8019KNZ4 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.265Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 208W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 5.22mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 40mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM N-kanal MOSFET är utformad för högeffektiv prestanda i elektroniska tillämpningar. Med en maximal drain-source-spänning på 800 V och en kontinuerlig dräneringsströmkapacitet på 19 A hanterar denna enhet effektivt betydande effektbelastningar samtidigt som den bibehåller låg påslagningsresistans. Den är konstruerad med avancerade omkopplingsfunktioner och ger snabba svarstider som är viktiga för effektiv kretsdrift. Inkapslingen i en TO-247G-kapsel säkerställer enkel montering och utmärkt termisk prestanda, vilket gör den idealisk för strömhantering i allt från industriella system till konsumentelektronik.
Låg påslagningsresistans på bara 0,265 Ω, vilket förbättrar energieffektiviteten
Klassad för kontinuerlig dräneringsström på ±19 A, vilket möjliggör betydande effekthantering
Snabb omkopplingsprestanda optimerar driften av dynamiska kretsar
Blyfri plätering säkerställer överensstämmelse med miljöstandarder
Robusta avalanche-klassificeringar stöder tillförlitlig drift i transientförhållanden
Idealisk för parallell användning, vilket förenklar flera enhetskonfigurationer.
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, R8011KNZ4
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 100 V Förbättring, 8 Ben, DFN8080T8LSHAAI, RY7P250BM
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8KF6H
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8KF7H
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 30 V Förbättring, 22 Ben, WLCSP-2020, AW2K21
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, RX3N10BBH
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, RX3N07BBH