ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, R8019KNZ4
- RS-artikelnummer:
- 687-367
- Tillv. art.nr:
- R8019KNZ4C13
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 påse med 2 enheter)*
124,97 kr
(exkl. moms)
156,212 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per påse* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 62,485 kr | 124,97 kr |
| 20 - 98 | 55,02 kr | 110,04 kr |
| 100 - 198 | 49,385 kr | 98,77 kr |
| 200 + | 38,84 kr | 77,68 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-367
- Tillv. art.nr:
- R8019KNZ4C13
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | R8019KNZ4 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.265Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 208W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 65nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 40mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 5.22mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie R8019KNZ4 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.265Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 208W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 65nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 40mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 5.22mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The ROHM N channel MOSFET designed for high-efficiency performance in electronic applications. Featuring a maximum Drain-Source voltage of 800V and a continuous drain current capability of 19A, this device effectively manages significant power loads while maintaining low on-resistance. Engineered with advanced switching capabilities, it provides rapid response times essential for efficient circuit operation. The encapsulation in a TO-247G package ensures straightforward mounting and excellent thermal performance, making it ideal for power management in everything from industrial systems to consumer electronics.
Low on resistance of just 0.265Ω, enhancing energy efficiency
Rated for continuous drain current of ±19A, allowing substantial power handling
Fast switching performance optimises the operation of dynamic circuits
Pb free lead plating ensures compliance with environmental standards
Robust avalanche ratings support reliable operation in transient conditions
Ideal for parallel usage, simplifying multiple device configurations.