STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- RS-artikelnummer:
- 760-9768
- Tillv. art.nr:
- STW11NM80
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
60,03 kr
(exkl. moms)
75,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 10 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 120 enhet(er) från den 04 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 60,03 kr |
| 10 - 99 | 35,42 kr |
| 100 + | 28,27 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 760-9768
- Tillv. art.nr:
- STW11NM80
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | MDmesh | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 400mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 43.6nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.86V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 15.75mm | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie MDmesh | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 400mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 43.6nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.86V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 15.75mm | ||
Höjd 20.15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM, 800 V/1 500 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 19.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MDmesh effekt-MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STB11NM80