Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 135 mA 350 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, DN3135
- RS-artikelnummer:
- 165-6450
- Tillv. art.nr:
- DN3135K1-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
95,15 kr
(exkl. moms)
118,95 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 10 525 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 + | 3,806 kr | 95,15 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-6450
- Tillv. art.nr:
- DN3135K1-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 135mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 350V | |
| Serie | DN3135 | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 35Ω | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.3W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.02mm | |
| Standarder/godkännanden | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Längd | 3.04mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 135mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 350V | ||
Serie DN3135 | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 35Ω | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.3W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.02mm | ||
Standarder/godkännanden Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Längd 3.04mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
DN3135 är en transistor med låg tröskel för utarmningsläge (normalt på) som använder en avancerad vertikal DMOS-struktur och en välbeprövad tillverkning av silikongrind. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapacitet för bipolära transistorer och med hög ingångsimpedans och positiv temperaturkoefficient som är inneboende i MOS-enheter. Karaktäristisk för alla MOS-strukturer, denna enhet är fri från termisk runaway och termiskt inducerad sekundärnedbrytning. Vertikala DMOS FET är idealiska för ett brett spektrum av omkopplings- och förstärkningstillämpningar där hög brytningsspänning, hög ingångsimpedans, låg ingångskapacitans och snabba omkopplingshastigheter önskas.
Hög ingångsimpedans
Låg ingångskapacitans
Snabba växlingshastigheter
Låg på-resistans
Fri från sekundära avbrott
Lågt ingångs- och utgångsläckage
Relaterade länkar
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 135 mA 350 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, DN3135
- Microchip Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 72 mA 350 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-89, DN3135
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET 500 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, LND150
- Microchip Typ P Kanal, MOSFET, -200 mA 350 V MOSFET, 3 Ben, SOT-23
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 230 mA 350 V MOSFET, 3 Ben, SOT-23, TN5335
- Microchip Enkel Typ N Kanal, MOSFET, 230 mA 350 V Avskrivningar, 4 Ben
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 120 mA 350 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-92, DN2535
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101