Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 9 V Utarmningsläge, 5 Ben, SOT-23-5, LND01
- RS-artikelnummer:
- 598-897
- Tillv. art.nr:
- LND01K1-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
14 355,00 kr
(exkl. moms)
17 943,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 03 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 4,785 kr | 14 355,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 598-897
- Tillv. art.nr:
- LND01K1-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | N-kanalig DMOS FET | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 350mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 9V | |
| Serie | LND01 | |
| Kapseltyp | SOT-23-5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4Ω | |
| Kanalläge | Utarmningsläge | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 360mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -25°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Standarder/godkännanden | ISO/TS‑16949, RoHS | |
| Längd | 3.05mm | |
| Höjd | 1.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp N-kanalig DMOS FET | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 9V | ||
Serie LND01 | ||
Kapseltyp SOT-23-5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4Ω | ||
Kanalläge Utarmningsläge | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Maximal effektförlust Pd 360mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -25°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Standarder/godkännanden ISO/TS‑16949, RoHS | ||
Längd 3.05mm | ||
Höjd 1.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips MOSFET med utarmningsläge är en transistor med låg tröskel, utarmningsläge (normalt på) som använder en avancerad lateral DMOS-struktur och en välbeprövad tillverkning av silikongrind. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapacitet för bipolära transistorer och med hög ingångsimpedans och positiv temperaturkoefficient som är inneboende i MOS-enheter. Den här enheten är karakteristisk för alla MOS-strukturer och är fri från termiskt avbrott och termiskt inducerad sekundärnedbrytning.
Låg påslagningsresistans
Låg ingångskapacitans
Snabba växlingshastigheter
Hög ingångsimpedans och hög förstärkning
Låga effektkrav för drivning
Enkel synkronisering
Relaterade länkar
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 9 V Utarmningsläge, 5 Ben, SOT-23-5, LND250
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 9 V Utarmningsläge, 5 Ben, SOT-23-5, MIC94050
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 9 V Utarmningsläge, 5 Ben, SOT-23-5, LND150
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN2535
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN2530
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN2450
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN3765
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN3545