Microchip N-kanalig vertikal DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 90 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-92-3 (TO-226AA),
- RS-artikelnummer:
- 599-131
- Tillv. art.nr:
- VN0808L-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 påse med 1000 enheter)*
15 187,00 kr
(exkl. moms)
18 984,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 19 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per påse* |
|---|---|---|
| 1000 + | 15,187 kr | 15 187,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 599-131
- Tillv. art.nr:
- VN0808L-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | N-kanalig vertikal DMOS FET | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 350mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 90V | |
| Serie | VN0808 | |
| Kapseltyp | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3Ω | |
| Kanalläge | Förbättringsläge | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 5.33mm | |
| Bredd | 4.19mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Längd | 5.08mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp N-kanalig vertikal DMOS FET | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 90V | ||
Serie VN0808 | ||
Kapseltyp TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3Ω | ||
Kanalläge Förbättringsläge | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 5.33mm | ||
Bredd 4.19mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Längd 5.08mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips vertikala N-kanalförstärkningstransistor använder en vertikal dubbeldiffuserad metalloxidhalvledarstruktur (DMOS) tillsammans med en välbeprövad tillverkning av silikongrind. Denna kombination säkerställer att enheten är fri från sekundära fel och fungerar med ett krav på låg strömförbrukning, vilket gör den effektiv och tillförlitlig för olika applikationer.
Enkel synkronisering
Låga effektkrav för drivning
Hög ingångsimpedans och hög förstärkning
Relaterade länkar
- Microchip N-kanalig vertikal DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 90 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-92-3 (TO-226AA),
- Microchip N-kanalig vertikal DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 450 mA 40 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-92-3 (TO-226AA),
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN2535
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN2530
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN2450
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN3765
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN3545
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN3145