Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 9 V Utarmningsläge, 5 Ben, SOT-23-5, LND150
- RS-artikelnummer:
- 599-150
- Tillv. art.nr:
- LND150N3-G-P003
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 rulle med 2000 enheter)*
13 736,00 kr
(exkl. moms)
17 170,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | 6,868 kr | 13 736,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 599-150
- Tillv. art.nr:
- LND150N3-G-P003
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | N-kanalig DMOS FET | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 350mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 9V | |
| Serie | LND150 | |
| Kapseltyp | SOT-23-5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4Ω | |
| Kanalläge | Utarmningsläge | |
| Maximal effektförlust Pd | 360mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -25°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Höjd | 1.3mm | |
| Längd | 3.05mm | |
| Standarder/godkännanden | ISO/TS‑16949, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp N-kanalig DMOS FET | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 9V | ||
Serie LND150 | ||
Kapseltyp SOT-23-5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4Ω | ||
Kanalläge Utarmningsläge | ||
Maximal effektförlust Pd 360mW | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -25°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Höjd 1.3mm | ||
Längd 3.05mm | ||
Standarder/godkännanden ISO/TS‑16949, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
Microchips högspännings-N-kanalutarmningsläge (normalt på) transistor använder lateral DMOS-teknik. Grinden är ESD-skyddad. LND150 är idealisk för högspänningstillämpningar inom områdena normalt påslagen omkopplare, precisionskonstströmskällor, spänningsramplgenerering och förstärkning.
Fri från sekundära avbrott
Låga effektkrav för drivning
Enkel synkronisering
Utmärkt värmestabilitet
Integrerad käll- och avtappningsdiod
Hög ingångsimpedans och låg CISS
ESD-grindskydd
Relaterade länkar
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN2540
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 9 V Utarmningsläge, 5 Ben, SOT-23-5, LND250
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 9 V Utarmningsläge, 5 Ben, SOT-23-5, MIC94050
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 9 V Utarmningsläge, 5 Ben, SOT-23-5, LND01
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN2535
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN2530
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN2450
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN3765