STMicroelectronics N-kanal N Kanal, MOSFET, 51 A 650 V N, 7 Ben, HU3PAK, STHU65 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 481-133
- Tillv. art.nr:
- STHU65N050DM9AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 600 enheter)*
44 737,20 kr
(exkl. moms)
55 921,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 600 + | 74,562 kr | 44 737,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 481-133
- Tillv. art.nr:
- STHU65N050DM9AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 51A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | HU3PAK | |
| Serie | STHU65 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 14.1mm | |
| Höjd | 3.6mm | |
| Längd | 11.9mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 51A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp HU3PAK | ||
Serie STHU65 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration N-kanal | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 14.1mm | ||
Höjd 3.6mm | ||
Längd 11.9mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- JP
STMicroelectronics N-kanals effekt-MOSFET är byggd på toppmodern super-junction MDmesh DM9-teknik, idealisk för tillämpningar med medel till hög spänning. Den erbjuder ultralåg RDS(on) per område och integrerar en diod med snabb återhämtning. Den avancerade silikonbaserade DM9-processen har en multi-drain-struktur, vilket förbättrar enhetens övergripande prestanda. Med mycket låg återhämtningsladdning (Qrr), kort återhämtningstid (trr) och minimal RDS(on) är denna snabba MOSFET perfekt lämpad för högeffektiva bryggtopologier och ZVS-fasförskjutningsomvandlare.
Låg grindladdning och motstånd
100 % avalanche-testade
Extremt hög dv/dt robusthet
Utmärkt omkopplingsprestanda tack vare den extra drivande källans pin
AEC-Q101-godkänd
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 650 V N, 7 Ben, HU3PAK, STHU65 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 26 A 650 V N, 7 Ben, HU3PAK, STHU65N1 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, Sct AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, 60 A 650 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, STPOWER Gen3 SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, STH65N AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 54 A 600 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, STHU60 AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V, 7 Ben, HU3PAK, STHU36N AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 600 V, 7 Ben, HU3PAK, STHU47 AEC-Q101