STMicroelectronics, MOSFET, 103 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- RS-artikelnummer:
- 365-175
- Tillv. art.nr:
- STL100N4LF8
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 10,10 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
10,98 kr
(exkl. moms)
13,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 800 enhet(er) levereras från den 16 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 10,98 kr | - |
| 10 - 99 | 9,97 kr | 10,10 kr |
| 100 - 499 | 9,18 kr | 180,00 kr |
| 500 - 999 | 8,51 kr | 1 235,00 kr |
| 1000 + | 7,50 kr | 3 480,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 365-175
- Tillv. art.nr:
- STL100N4LF8
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 103A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.85mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 52W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC | |
| Höjd | 800μm | |
| Längd | 3.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 103A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.85mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 52W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC | ||
Höjd 800μm | ||
Längd 3.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET är en avancerad STripFET F8 som uppnår högre omkopplingsfrekvenser än tidigare tekniker, tack vare låga enhetskapacitanser som minimerar dynamiska parametrar och omkopplingsförluster. Detta gör det möjligt för konstruktörer att använda mindre kapacitiva och magnetiska komponenter i mer kompakta och kostnadseffektiva lösningar, samtidigt som effekttätheten i den slutliga applikationen ökar.
Optimerad grindladdning för snabbare kommutationshastigheter
Högre immunitet mot felaktig påslagning
Lägre RDS(on) för högre systemeffektivitet
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, MOSFET, 103 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 290 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 304 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 203 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 350 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 144 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, Stl
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 167 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, N-kanals MOSFET, 154 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL