Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 163 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, IMZA75
- RS-artikelnummer:
- 351-992
- Tillv. art.nr:
- IMZA75R008M1HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
577,14 kr
(exkl. moms)
721,42 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 240 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 577,14 kr |
| 10 - 99 | 519,46 kr |
| 100 + | 479,02 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 351-992
- Tillv. art.nr:
- IMZA75R008M1HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 163A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 750V | |
| Uteffekt | 517W | |
| Kapseltyp | PG-TO247-4 | |
| Serie | IMZA75 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC for Industrial Applications | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Längd | 15.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 163A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 750V | ||
Uteffekt 517W | ||
Kapseltyp PG-TO247-4 | ||
Serie IMZA75 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC for Industrial Applications | ||
Höjd 5.1mm | ||
Längd 15.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolSiC Automotive MOSFET är byggd på solid kiselkarbidteknik. Den erbjuder en fördel i prestanda, tillförlitlighet och robusthet, med gate-driven flexibilitet, vilket möjliggör den förenklade och kostnadseffektiva systemdesignen för bästa effektivitet och effekttäthet.
Överlägsen effektivitet vid hård omkoppling
Möjliggör högre omkopplingsfrekvens
Högre tillförlitlighet
Robusthet mot parasitisk vridning
Unipolär drivning
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 163 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, AIMZA75 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 32 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 23 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC