Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IGT65
- RS-artikelnummer:
- 351-966
- Tillv. art.nr:
- IGT65R055D2ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
67,98 kr
(exkl. moms)
84,98 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 995 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 67,98 kr |
| 10 - 99 | 61,15 kr |
| 100 - 499 | 56,34 kr |
| 500 - 999 | 52,30 kr |
| 1000 + | 46,93 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 351-966
- Tillv. art.nr:
- IGT65R055D2ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 31A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | IGT65 | |
| Kapseltyp | PG-HSOF-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.066Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 106W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC for Industrial Applications | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 31A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie IGT65 | ||
Kapseltyp PG-HSOF-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.066Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 106W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC for Industrial Applications | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon CoolGaN är en mycket effektiv galliumnitrid-transistor (GaN) utformad för strömomvandling. Det möjliggör högre effekttäthet, stödjer minskad system BOM-kostnad och underlättar miniatyriserade formfaktorer. Den tillverkas med hjälp av waferteknik och helautomatiska produktionslinjer, med snäva produktionstoleranser och högsta produktkvalitet. Detta gör den lämplig för ett brett spektrum av tillämpningar, från konsumentelektronik till industriella tillämpningar.
Förbättringslägetransistor
Ultrasnabb omkoppling
Ingen omvänd återställningsladdning
Kan användas för omvänd ledning
Låg grind- och utgångsladdning
Överlägsen motståndskraft vid kommutation
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IGT65
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IGT65
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 38 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IGT65
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 59 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 142 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 196 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 61 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1