Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IGT65
- RS-artikelnummer:
- 351-966
- Tillv. art.nr:
- IGT65R055D2ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
67,98 kr
(exkl. moms)
84,98 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 67,98 kr |
| 10 - 99 | 61,15 kr |
| 100 - 499 | 56,34 kr |
| 500 - 999 | 52,30 kr |
| 1000 + | 46,93 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 351-966
- Tillv. art.nr:
- IGT65R055D2ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 31A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | IGT65 | |
| Kapseltyp | PG-HSOF-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.066Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 106W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC for Industrial Applications | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 31A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie IGT65 | ||
Kapseltyp PG-HSOF-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.066Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Maximal effektförlust Pd 106W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC for Industrial Applications | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
The Infineon CoolGaN is a highly efficient gallium nitride (GaN) transistor designed for power conversion. It enables higher power density, supports reduced system BOM cost, and facilitates miniaturized form factors. Produced using wafer technology and fully automated production lines, it features narrow production tolerances and the highest product quality. This makes it suitable for a wide range of applications, from consumer electronics to industrial applications.
Enhancement mode transistor
Ultra fast switching
No reverse recovery charge
Capable of reverse conduction
Low gate and output charge
Superior commutation ruggedness
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 70 A 650 V Förbättring PG-HSOF-8, IGT65
- Infineon Typ N Kanal 38 A 650 V Förbättring PG-HSOF-8, IGT65
- Infineon Typ N Kanal 13 A 650 V Förbättring PG-HSOF-8, IGT65
- Infineon Typ N Kanal 59 A 650 V Förbättring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Typ N Kanal 196 A 650 V Förbättring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Typ N Kanal 142 A 650 V Förbättring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Typ N Kanal 61 A 650 V Förbättring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Typ N Kanal 44 A 650 V Förbättring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1