Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IGT65
- RS-artikelnummer:
- 351-969
- Tillv. art.nr:
- IGT65R025D2ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
131,94 kr
(exkl. moms)
164,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 945 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 131,94 kr |
| 10 - 99 | 118,72 kr |
| 100 + | 109,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 351-969
- Tillv. art.nr:
- IGT65R025D2ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 70A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | IGT65 | |
| Kapseltyp | PG-HSOF-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.03Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 11nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 10V | |
| Maximal effektförlust Pd | 236W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC for Industrial Applications | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 70A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie IGT65 | ||
Kapseltyp PG-HSOF-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.03Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 10V | ||
Maximal effektförlust Pd 236W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC for Industrial Applications | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IGT65-serien MOSFET, 650 V drain source-spänning, 70 A kontinuerlig drain-ström – IGT65R025D2ATMA1
Denna MOSFET är en högspänningskopplingstransistor som är utformad för krävande industriella miljöer. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och levereras i ett ytmonterat paket som är lämpligt för kompakta kort. Enheten är avsedd för strömomvandling och omkopplingsroller där hög spänningstolerans och robust kontinuerlig strömhantering krävs.
Funktioner och fördelar:
• Tål 650 V avtappning för högspänningsomkopplingstillämpningar
• 70 A kontinuerlig dräneringskapacitet för hållbar lasthantering
• 0.03 Ω Rds(on) för minskade ledningsförluster
• 236 W maximal effektförlust för termiskt huvudutrymme
• 11 nC typisk grindladdning för snabbare växlingsövergångar
• 10 V grindklassning som är kompatibel med vanliga grinddrivarspänningar
• 70 A kontinuerlig dräneringskapacitet för hållbar lasthantering
• 0.03 Ω Rds(on) för minskade ledningsförluster
• 236 W maximal effektförlust för termiskt huvudutrymme
• 11 nC typisk grindladdning för snabbare växlingsövergångar
• 10 V grindklassning som är kompatibel med vanliga grinddrivarspänningar
Användningsområden
• Idealisk för industriella switchade nätaggregat och växelriktare
• Lämplig för motorstyrningsstegen i högspänningssystem
• Används med högspännings-DC/DC-omvandlare för energiomvandling
• Kan användas för svåra omkopplingstopologier i kraftelektronik
• Lämplig för eldistribution och extraförsörjning inom telekommunikation
• Lämplig för motorstyrningsstegen i högspänningssystem
• Används med högspännings-DC/DC-omvandlare för energiomvandling
• Kan användas för svåra omkopplingstopologier i kraftelektronik
• Lämplig för eldistribution och extraförsörjning inom telekommunikation
Vilken kapslingstyp används och hur påverkar det kretskortsmontering?
Enheten levereras i ett PG-HSOF-8-paket för ytmontering som underlättar automatiserad omsmältningslödning och kompakta kretskortslayouter samtidigt som flera termiska och elektriska ledningar tillhandahålls.
Vilka hänsyn bör tas till grinddrivning för tillförlitlig drift?
Håll grinddrivningen inom ±10 V och tillhandahåll en returväg med låg impedans för att minimera omkopplingstransienter och säkerställa förutsägbar påslagnings- och avstängningstiming.
Hur påverkar temperaturområdet driftsplatser?
Det nominella driftsområdet från -55 °C till 150 °C möjliggör placering i både kalla start- och högtemperaturindustriskåpor utan att minska den grundläggande omkopplingsförmågan.
Vilka värmehanteringsstrategier rekommenderas för kontinuerlig drift?
Använd tillräckligt med kopparyta eller dedikerad kylelement under förpackningen, säkerställ goda värmeledningar för kretskortet och ta hänsyn till luftflödet för att bibehålla kopplingstemperaturer inom säkra gränser.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 38 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IGT65
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IGT65
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IGT65
- Infineon N Kanal, MOSFET, 44 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon N Kanal, MOSFET, 59 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon N Kanal, MOSFET, 196 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon N Kanal, MOSFET, 61 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1