Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 34 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- RS-artikelnummer:
- 351-930
- Tillv. art.nr:
- IMZC120R040M2HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
133,84 kr
(exkl. moms)
167,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 235 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 133,84 kr |
| 10 - 99 | 120,40 kr |
| 100 + | 111,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 351-930
- Tillv. art.nr:
- IMZC120R040M2HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 34A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | PG-TO-247-4-U07 | |
| Serie | IMZC120 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 40mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 218W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC47/20/22 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 34A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp PG-TO-247-4-U07 | ||
Serie IMZC120 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 40mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 218W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC47/20/22 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon CoolSiC MOSFET discrete with high creepage package builds on the strengths of Generation 1 technology with significant improvement that provides an advanced solution for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design and reliable system. It enhanced better performance in both hard-switching operation and soft-switching topologies for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.
Better energy efficiency
Cooling optimization
Higher power density
New robustness features
Highly reliable
Easy paralleling
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 27 A 1200 V Förbättring PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal 20 A 1200 V Förbättring PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal 49 A 1200 V Förbättring PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal 80 A 1200 V Förbättring PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal 91 A 1200 V Förbättring PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal 69 A 1200 V Förbättring PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal 55 A 1200 V Förbättring PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal 70 A 1200 V Förbättring PG-TO-247-4-U02, CoolSiC