Infineon N Kanal, MOSFET, 34 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- RS-artikelnummer:
- 351-930
- Tillv. art.nr:
- IMZC120R040M2HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
120,51 kr
(exkl. moms)
150,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 165 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 120,51 kr |
| 10 - 99 | 108,42 kr |
| 100 + | 100,13 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 351-930
- Tillv. art.nr:
- IMZC120R040M2HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 34A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | PG-TO-247-4-U07 | |
| Serie | IMZC120 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 40mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 218W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC47/20/22 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 34A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp PG-TO-247-4-U07 | ||
Serie IMZC120 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 40mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximal effektförlust Pd 218W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC47/20/22 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IMZC120-serien MOSFET, 218 W maximal effektförlust, 1200 V maximal drain-källspänning – IMZC120R040M2HXKSA1
Denna MOSFET med n-kanalförstärkningsläge är en högspänningsswitchtransistor utformad för krävande miljöer med strömomvandling. Den är avsedd för genomgående hålmontering i utrustning som kräver robust dränering-till-källa-blockeringskapacitet och betydande kontinuerlig strömhantering, fungerar över ett brett termiskt område som är lämpligt för tuffa förhållanden.
Funktioner och fördelar:
• 1200 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsdesigner
• Kontinuerlig dräneringsström på 34 A stöder drift med hög belastning
• 40 mΩ låg Rds(on) minskar ledningsförluster
• 218 W effektförlust för högeffektsomkoppling
• 39 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerad omkopplingsenergi
• PG-TO-247-4-paketet med genomgående hål förenklar montering av prototyper
• Kontinuerlig dräneringsström på 34 A stöder drift med hög belastning
• 40 mΩ låg Rds(on) minskar ledningsförluster
• 218 W effektförlust för högeffektsomkoppling
• 39 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerad omkopplingsenergi
• PG-TO-247-4-paketet med genomgående hål förenklar montering av prototyper
Användningsområden
• Lämplig för högspänningsströmförsörjningar och omvandlare
• Används med motordrivenheter som kräver stor strömkapacitet
• Idealisk för industriella växelriktar- och switch-mode-uppgifter
• Kan användas för batteriladdningssystem i tung utrustning
• Används för testning och utveckling av laboratorieelektronik
• Används med motordrivenheter som kräver stor strömkapacitet
• Idealisk för industriella växelriktar- och switch-mode-uppgifter
• Kan användas för batteriladdningssystem i tung utrustning
• Används för testning och utveckling av laboratorieelektronik
Vilka omgivningsförhållanden kan denna enhet tolerera under drift?
Den är specifik för drift från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med kraftiga temperaturvariationer.
Vilken kapsling och monteringsstil kräver den på ett kretskort?
Enheten levereras i en PG-TO-247-4-förpackning med genomgående hål avsedd för bult- eller lödmontering med lämplig kylelement.
Hur påverkar kravet på gate-drivning omkopplingsdesignen?
Med en typisk grindladdning på 39 nC vid nominell Vgs bör konstruktörer mått grinddrivare och grindresistanser för att balansera omkopplingshastighet och EMI med hänsyn till drivström.
Vilka elektriska gränsvärden måste iakttas för att förhindra skador på enheten?
Maximal gate-källspänning är 25 V och drain-källspänning är 1 200 V
dessa absoluta värden får inte överskridas under drift.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 49 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 27 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 91 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 69 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U02, CoolSiC