Infineon N Kanal, MOSFET, 55 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- RS-artikelnummer:
- 351-928
- Tillv. art.nr:
- IMZC120R034M2HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
126,45 kr
(exkl. moms)
158,06 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 240 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 126,45 kr |
| 10 - 99 | 113,68 kr |
| 100 + | 104,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 351-928
- Tillv. art.nr:
- IMZC120R034M2HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 55A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | IMZC120 | |
| Kapseltyp | PG-TO-247-4-U07 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 89mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 45nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 244W | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Bredd | 15.6mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC47/20/22 | |
| Längd | 23.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 55A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie IMZC120 | ||
Kapseltyp PG-TO-247-4-U07 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 89mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 45nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 244W | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Bredd 15.6mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC47/20/22 | ||
Längd 23.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IMZC120-serien MOSFET, 244 W maximal effektförlust, 1200 V maximal drain-källspänning – IMZC120R034M2HXKSA1
Denna MOSFET är en högspänningsswitchtransistor avsedd för strömomvandling och styrning i krävande industriella miljöer. Det är en N-kanal-enhet med förstärkningsläge som är utformad för att hantera förhöjda drain-source-spänningar och betydande kontinuerlig ström, vilket gör den lämplig för roller där robust högspänningsomkoppling och termisk hållbarhet krävs.
Funktioner och fördelar:
• 1200 V Vds möjliggör användning av högspänningssystem
• Kontinuerlig dräneringsström på 55 A med stöd för omkoppling vid kraftig belastning
• 89 mΩ Rds(on) minskar ledningsförlusterna under drift
• 244 W effektförlust möjliggör varaktig termisk genomströmning
• 45 nC typisk grindladdning förbättrar omkopplingshastighetskontrollen
• Kontinuerlig dräneringsström på 55 A med stöd för omkoppling vid kraftig belastning
• 89 mΩ Rds(on) minskar ledningsförlusterna under drift
• 244 W effektförlust möjliggör varaktig termisk genomströmning
• 45 nC typisk grindladdning förbättrar omkopplingshastighetskontrollen
Användningsområden
• Lämpligt för högspänningsväxelriktare i industriella drivenheter
• Idealisk för strömförsörjningar som kräver högspänningsomkoppling
• Används med stora motorstyrenheter som kräver hög strömhantering
• Kan användas för svåra omkopplingstopologier i omvandlare
• Idealisk för strömförsörjningar som kräver högspänningsomkoppling
• Används med stora motorstyrenheter som kräver hög strömhantering
• Kan användas för svåra omkopplingstopologier i omvandlare
Vilken kapsling och monteringsstil använder den för montering?
Den levereras i ett PG-TO-247-4-U07-paket konfigurerat för genomgående hålmontering för att underlätta säker korthållning och robust termisk anslutning till kylelement.
Vilket temperaturområde kan den tolerera under drift?
Den fungerar i ett brett intervall från -55 °C upp till 200 °C, vilket möjliggör användning i extrema termiska förhållanden och förhöjda kopplingstemperaturer.
Hur många stift finns det och vad innebär det elektriskt?
Enheten har fyra stift, som rymmer grind, drain och dubbla källor eller flikar som är typiska för effekt-MOSFET-paket för flexibel kretsintegrering.
Vilka industristandardtester gäller för dess kvalificering?
Den överensstämmer med JEDEC47/20/22-standarderna, vilket indikerar överensstämmelse med etablerade testprotokoll för termisk och mekanisk tillförlitlighet.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 49 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 27 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 91 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 34 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 69 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT6.7, CoolSiC AEC-Q101, AEC-Q100