Infineon N Kanal, MOSFET, 69 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- RS-artikelnummer:
- 351-924
- Tillv. art.nr:
- IMZC120R017M2HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
223,22 kr
(exkl. moms)
279,02 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 18 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 223,22 kr |
| 10 - 99 | 200,93 kr |
| 100 + | 185,36 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 351-924
- Tillv. art.nr:
- IMZC120R017M2HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 69A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | PG-TO-247-4-U07 | |
| Serie | IMZC120 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 45mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 89nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 5.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 382W | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC47/20/22 | |
| Längd | 23.5mm | |
| Bredd | 16mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 69A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp PG-TO-247-4-U07 | ||
Serie IMZC120 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 45mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 89nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Framåtriktad spänning Vf 5.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 382W | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC47/20/22 | ||
Längd 23.5mm | ||
Bredd 16mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IMZC120-serien MOSFET, 1200 V drain-källspänning, 69 A kontinuerlig drain-ström – IMZC120R017M2HXKSA1
Denna högspänningsförstärknings-MOSFET med N-kanal är utformad för strömomkoppling i krävande elektroniska system. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och är lämplig för montering av genomgående kort, vilket ger robust hantering av högspänning och betydande kontinuerlig strömkapacitet för industriella sammanhang och strömomvandling.
Funktioner och fördelar:
• 1200 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 69 A stöder drift med hög belastning
• 45 mΩ RDS(on) minskar ledningsförluster under drift
• Maximalt förlust på 382 W möjliggör hantering av hög effekt
• 89 nC typisk grindladdning optimerar switchningsprestanda
• VGS-gränsen på 25 V säkerställer kompatibilitet och skydd för grinddrivning
• Kontinuerlig dräneringsström på 69 A stöder drift med hög belastning
• 45 mΩ RDS(on) minskar ledningsförluster under drift
• Maximalt förlust på 382 W möjliggör hantering av hög effekt
• 89 nC typisk grindladdning optimerar switchningsprestanda
• VGS-gränsen på 25 V säkerställer kompatibilitet och skydd för grinddrivning
Användningsområden
• Lämplig för högspänningsväxelriktare och omvandlarsteg
• Idealisk för industriella motorstyrningsstegen
• Används med nätaggregat som kräver hög avledningsförmåga
• Kan användas för primäromkoppling av switchade nätaggregat
• Användbar i växelriktare och lagringssystem för förnybar energi
• Idealisk för industriella motorstyrningsstegen
• Används med nätaggregat som kräver hög avledningsförmåga
• Kan användas för primäromkoppling av switchade nätaggregat
• Användbar i växelriktare och lagringssystem för förnybar energi
Vilket paket underlättar montering och värmeavledning?
Komponenten levereras i ett fyrpoligt PG-TO-247-4-U07-paket med genomgående hål som förenklar kretskortsmontering och möjliggör tillförlitlig fästning på kylelement för värmehantering.
Hur fungerar den i extrema temperaturer?
Den är specificerad för att fungera från -55 °C upp till 200 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med bred termisk variation och förhöjda kopplingstemperaturer.
Vilka överväganden gäller för grindstyrning?
Den typiska grindladdningen på 89 nC kräver en grinddrivare som kan generera och sänka tillräckligt med ström för de avsedda växlingshastigheterna samtidigt som den maximala grindkällan på 25 V respekteras.
Finns det erkända tillverknings- eller teststandarder som refereras till?
Enheten överensstämmer med JEDEC47/20/22-standarder för relaterade kvalificerings- och testmetoder som används vid komponentbedömning.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 49 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 27 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 91 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 34 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U07, IMZC120
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 69 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT6.7, CoolSiC AEC-Q101, AEC-Q100