Infineon N Kanal, Effekttransistor, 451 A 40 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, IQF
- RS-artikelnummer:
- 349-390
- Tillv. art.nr:
- IQFH55N04NM6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (2 enheter, i en förpackning med 2)*
105,62 kr
(exkl. moms)
132,02 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 52,81 kr | 105,62 kr |
| 20 - 198 | 47,49 kr | 94,98 kr |
| 200 - 998 | 43,79 kr | 87,58 kr |
| 1000 - 1998 | 40,655 kr | 81,31 kr |
| 2000 + | 36,40 kr | 72,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-390
- Tillv. art.nr:
- IQFH55N04NM6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Effekttransistor | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 451A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PG-TSON-12 | |
| Serie | IQF | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 12 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.55mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 118nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 214W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Effekttransistor | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 451A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PG-TSON-12 | ||
Serie IQF | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 12 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.55mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 118nC | ||
Maximal effektförlust Pd 214W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon OptiMOS 6 effekttransistor, 40 V är speciellt optimerad för lågspänningsdrivenhetstillämpningar och batteridrivna system, vilket gör den idealisk för energieffektiva konstruktioner. Den är också optimerad för synkrona tillämpningar, vilket säkerställer förbättrad prestanda. MOSFET har mycket låg on-resistans (RDS(on)), vilket minimerar ledningsförluster för förbättrad effektivitet. Dessutom är den 100 % avalanchetestad, vilket säkerställer tillförlitlig prestanda under krävande förhållanden.
Överlägsen värmebeständighet
N-kanal
Blyfri plätering och RoHS-kompatibel
Halogenfri enligt IEC61249-2-21
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 172 A 135 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSON-8, ISC
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 510 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 339 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 394 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 460 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 656 A 40 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS-TM6
- Infineon Halvbrygga N Kanal, MOSFET-moduler, 620 A 750 V Förbättring, 30 Ben, PG-TSON-12, HybridPACK
- Infineon, Effekttransistor, 60 A 600 V Förbättring, 20 Ben, PG-DSO-20-85, CoolGaN