Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 600 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPQ

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

181,89 kr

(exkl. moms)

227,36 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 750 enhet(er) från den 23 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 9181,89 kr
10 - 99163,74 kr
100 +150,98 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
349-004
Tillv. art.nr:
IPQC60T017S7XTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

IPQ

Kapseltyp

PG-HDSOP-22

Fästetyp

Yta

Antal ben

22

Maximal drain-källresistans Rds

17mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Framåtriktad spänning Vf

0.82V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

196nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

500W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS, JEDEC

COO (ursprungsland):
MY
The Infineon CoolMOS S7T enables the best price performance for low frequency switching applications. The embedded temperature sensor increases junction temperature sensing accuracy and robustness while keeping an easy and seamless implementation. CoolMOS S7T is optimized for static switching and high current applications. The new temperature sensor enhances S7 features, allowing the best possible utilization of the power transistor.

Increased system performance

Increased system performance

More compact and more straightforward design

Lower BOM or TCO over a prolonged lifetime

More reliability and longer system lifetime

Relaterade länkar