Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 174 A 600 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPQC60

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

322,56 kr

(exkl. moms)

403,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 750 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 9322,56 kr
10 - 99290,42 kr
100 +267,68 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
351-943
Tillv. art.nr:
IPQC60T010S7XTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

174A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

PG-HDSOP-22

Serie

IPQC60

Typ av fäste

Yta

Antal ben

22

Maximal drain-källresistans Rds

0.022Ω

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.82V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

318nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

694W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

15.1mm

Standarder/godkännanden

JEDEC

Höjd

2.35mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon CoolMOS S7T with embedded temperature sensor increases junction temperature sensing accuracy and robustness while enabling easy implementation. The device is optimized for low-frequency and high-current switching applications. It is an ideal fit for solid-state relay, circuit breaker designs, and line rectification in SMPS.

Minimized conduction losses

Increased system performances

Allow more compact design over EMR

Lower TCO over prolonged time

Enabling higher power density designs

Reduction of external sensing elements

Best utilization of power transistor

Relaterade länkar