Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 54 A 60 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPQ AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 349-203
- Tillv. art.nr:
- IPQC60T040S7AXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
108,64 kr
(exkl. moms)
135,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 750 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 108,64 kr |
| 10 - 99 | 97,89 kr |
| 100 - 499 | 90,16 kr |
| 500 - 999 | 83,55 kr |
| 1000 + | 74,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-203
- Tillv. art.nr:
- IPQC60T040S7AXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 54A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | IPQ | |
| Kapseltyp | PG-HDSOP-22 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 22 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 40mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 272W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.82V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 83nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC Q101, RoHS, JEDEC | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 54A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie IPQ | ||
Kapseltyp PG-HDSOP-22 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 22 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 40mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 272W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.82V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 83nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden AEC Q101, RoHS, JEDEC | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon CoolMOS S7TA ger bästa prisprestanda för lågfrekvensomkopplingstillämpningar. Den inbyggda temperatursensorn ökar kopplingstemperaturens noggrannhet och robusthet samtidigt som en enkel och sömlös implementering upprätthålls. CoolMOS S7TA är optimerad för statisk omkoppling och tillämpningar med hög ström. Den nya temperatursensorn förbättrar S7A-funktioner, vilket möjliggör bästa möjliga användning av effekttransistorn.
Optimerad prisprestanda i lågfrekvensomkopplingstillämpningar
Hög pulsströmsförmåga
Sömlös diagnostik till lägsta systemkostnad
Ökad systemprestanda
Minimerade ledningsförluster
Mer tillförlitlighet och längre livslängd för systemet
Stöt- och vibrationstålighet
Ingen kontaktbåge eller studs
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 60 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPQ AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, Drivna enheter, 90 A 60 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPQ AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 600 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPQ
- Infineon Typ N Kanal, Drivna enheter, 90 A 600 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPQ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 54 A 60 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 34 A 750 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 81 A 750 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 750 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, CoolSiC AEC-Q101