Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 86 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- RS-artikelnummer:
- 285-048
- Tillv. art.nr:
- ISC073N12LM6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
194,21 kr
(exkl. moms)
242,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 38,842 kr | 194,21 kr |
| 50 - 95 | 36,848 kr | 184,24 kr |
| 100 + | 34,16 kr | 170,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 285-048
- Tillv. art.nr:
- ISC073N12LM6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 86A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 120V | |
| Kapseltyp | PG-TDSON-8 | |
| Serie | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 86A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 120V | ||
Kapseltyp PG-TDSON-8 | ||
Serie OptiMOS 6 Power Transistor | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon MOSFET är en avancerad N-kanals effekttransistor som utmärker sig i högfrekventa omkopplingstillämpningar. Den är utformad med innovativ OptiMOS 6-teknik och ger enastående effektivitet och prestanda. Med lågt motstånd vid påverkan och hög lavinenergi är denna komponent optimerad för krävande industriella tillämpningar och säkerställer tillförlitlig drift även i utmanande termiska miljöer. Dess kompakta PG TDSON 8-hus förbättrar dess användbarhet ytterligare, vilket gör integrationen i olika konstruktioner enkel. Transistorn fungerar sömlöst över ett brett temperaturområde, vilket underlättar mångsidighet i många tillämpningar.
N-kanalkonstruktion för förbättrad prestanda
Optimerad för högfrekvent omkoppling
Lågt motstånd under drift ökar energieffektiviteten
Hög avrinningsvärde säkerställer tillförlitlighet
Kompakt förpackning sparar designutrymme
RoHS-kompatibel för hållbarhet
MSL 1 för enkel lödning
Den interna husdioden förbättrar funktionaliteten
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 86 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -59 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -32 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -19.6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -22 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon 1 Typ N Kanal, MOSFET 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8 FL, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 5