Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 445 A 60 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 284-929
- Tillv. art.nr:
- IQD009N06NM5CGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 284-929
- Tillv. art.nr:
- IQD009N06NM5CGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 445A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PG-TTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 9 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 333W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 445A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PG-TTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 9 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 333W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET har en OptiMOS 5-effekttransistor som är konstruerad för hög effektivitet i olika tillämpningar, vilket ger stabil drift vid en maximal spänning på 60 V. Denna N-kanal MOSFET har ett lågt motstånd på, vilket avsevärt minskar effektförlusterna, vilket säkerställer att dina konstruktioner upprätthåller optimal värmehantering även under utmanande förhållanden. Med avancerade lavinhasegenskaper och omfattande tester för tillförlitlighet tillgodoser den här enheten industriella tillämpningar som kräver överlägset värmebeständighet och robust prestanda. Den kompakta PG TTFN 9-förpackningen förbättrar integrationen i befintliga konstruktioner, vilket gör den till ett val för ingenjörer som vill förbättra sina system.
Mycket lågt motstånd vid påverkan förbättrar effektiviteten
Förbättrat värmebeständighet för prestanda
Optimerad för kontinuerliga och pulserade strömmar
Omfattande lavinmätvärden för hållbarhet
I överensstämmelse med RoHS och halogenfri
Fullt kvalificerad enligt JEDEC-standarder
Betydande besparingar på strömsvikt
Flexibelt temperaturområde för olika miljöer
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 445 A 60 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 610 A 40 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 637 A 40 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 151 A 60 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 789 A 25 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 447 A 60 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 323 A 80 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS