Infineon 1 Typ N Kanal, MOSFET 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- RS-artikelnummer:
- 284-783
- Tillv. art.nr:
- ISC030N12NM6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
124,77 kr
(exkl. moms)
155,962 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 20 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 62,385 kr | 124,77 kr |
| 20 - 198 | 56,055 kr | 112,11 kr |
| 200 - 998 | 51,69 kr | 103,38 kr |
| 1000 - 1998 | 47,99 kr | 95,98 kr |
| 2000 + | 43,01 kr | 86,02 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 284-783
- Tillv. art.nr:
- ISC030N12NM6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 120V | |
| Serie | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| Kapseltyp | PG-TSON-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 120V | ||
Serie OptiMOS 6 Power Transistor | ||
Kapseltyp PG-TSON-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Infineon MOSFET är en state-of-the-art effekttransistor som är utformad för högfrekventa omkopplingstillämpningar och har exceptionell prestanda och effektivitet. Denna N-kanal MOSFET är optimerad för användning i olika industriella tillämpningar, vilket garanterar topptillförlitlighet även under krävande förhållanden. Med sitt låga motstånd vid påverkan och anmärkningsvärda grindladdningsegenskaper förbättrar den prestandan i synkron utjämning och effektomvandlingssystem. Enheten fungerar effektivt vid höga temperaturer, vilket gör den lämplig för en rad tillämpningar inom olika sektorer. Dess kompakta PG TSON 8 3-hölje möjliggör ytterligare utrymmesbesparande konstruktioner samtidigt som den garanterar överlägsen termisk prestanda, vilket gör den till ett föredraget val för ingenjörer som söker högkvalitativa lösningar för strömhantering.
Mycket lågt motstånd vid påverkan minimerar effektförluster
Hög effektivitet med utmärkt grindladdning
Sömlös drift i högfrekventa tillämpningar
Hög lavin-energimärkning för hållbarhet
Fungerar effektivt upp till 175 °C
Överensstämmer med RoHS-standarderna för säkerhet
MSL 1-klassificering för flexibel hantering
Optimerad för synkron utjämning
Relaterade länkar
- Infineon 1 Typ N Kanal, MOSFET 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 656 A 40 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS-TM6
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 510 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 460 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 339 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 394 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -59 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
