Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-WHSON-8, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 284-773
- Tillv. art.nr:
- IQE050N08NM5SCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 6000 enheter)*
106 182,00 kr
(exkl. moms)
132 726,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 6000 + | 17,697 kr | 106 182,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 284-773
- Tillv. art.nr:
- IQE050N08NM5SCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 99A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | PG-WHSON-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 100W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 99A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp PG-WHSON-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 100W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET har en OptiMOS 5-effekttransistor, mätt på 80 V, speciellt utformad för att förbättra effektiviteten och prestandan i moderna elektroniska tillämpningar. Den utmärker sig genom att tillhandahålla överlägsen synkron utjämning, vilket säkerställer minimala energiförluster och maximerar det övergripande systemets tillförlitlighet. Tack vare det låga motståndet vid påverkan och den exceptionella värmehanteringen är denna transistor idealisk för krävande industriella tillämpningar, vilket gör den till ett föredraget val för ingenjörer som vill optimera prestanda. Med omfattande lavintester och robust konstruktion lovar den lång livslängd i svåra miljöer och överensstämmer med globala RoHS-standarder, vilket säkerställer ett starkt engagemang för säkerhet och hållbarhet.
Optimerad för synkron utjämning
N-kanal för enkel kretsintegration
Lågt motstånd vid påverkan minskar värmegenerering
Enastående värmebeständighet förhindrar överhettning
100 % lavintestat för tillförlitlighet
Blybeläggning utan bly för miljövänlig tillverkning
Halogenfri konstruktion uppfyller reglerna
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 132 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 151 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 789 A 25 V Förbättring, 8 Ben, PG-WHSON-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 151 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-WHSON-8, IQD0
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 276 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-WHSON-8, IQD0
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS