Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSON-8, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 284-751
- Tillv. art.nr:
- IQE022N06LM5CGSCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 6000 enheter)*
89 094,00 kr
(exkl. moms)
111 366,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 10 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 6000 + | 14,849 kr | 89 094,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 284-751
- Tillv. art.nr:
- IQE022N06LM5CGSCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 99A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | PG-TSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 100W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 99A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp PG-TSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 100W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon MOSFET är en effekttransistor som är konstruerad för hög prestanda i växlingsläge-strömförsörjningar, vilket garanterar tillförlitlighet i krävande tillämpningar. Utformad inom OptiMOS 5-serien, ger den enastående effektivitet och lågt motstånd vid påverkan, vilket gör den till ett idealiskt val för synkron utjämning. Med sin plumbfria och RoHS-kompatibla konstruktion uppfyller produkten inte bara de senaste miljöstandarderna utan säkerställer också robust prestanda under varierande förhållanden. Den här transistorn har avancerad värmehantering och är lavinklassad, vilket säkerställer säkrare drift och hållbarhet i kritiska miljöer. Dess logiska nivådrivningskapacitet möjliggör sömlös integration i ett brett utbud av elektroniska system, vilket ytterligare illustrerar dess mångsidighet och prestandastabilitet.
Optimerad för effektiv effektomvandling
Lågt motstånd vid tändning för förbättrad prestanda
Blyfri konstruktion för miljökompatibilitet
Avalanchetestat för ökad tillförlitlighet
Logisk nivådrivning förenklar lågspänningsgränssnitt
Värmebeständighet för effektiv värmehantering
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSON-8, OptiMOS
- Infineon 1 Typ N Kanal, MOSFET 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 510 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 394 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 339 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 460 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 656 A 40 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS-TM6