ROHM 1 Typ N, Typ P Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, SOP-8, SH8
- RS-artikelnummer:
- 265-324
- Tillv. art.nr:
- SH8MC4TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 10 enheter)*
59,81 kr
(exkl. moms)
74,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 80 enhet(er) från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 5,981 kr | 59,81 kr |
| 100 - 240 | 5,667 kr | 56,67 kr |
| 250 - 490 | 5,253 kr | 52,53 kr |
| 500 - 990 | 4,85 kr | 48,50 kr |
| 1000 + | 4,659 kr | 46,59 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 265-324
- Tillv. art.nr:
- SH8MC4TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOP-8 | |
| Serie | SH8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 96mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOP-8 | ||
Serie SH8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 96mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM MOSFET är en MOSFET med låg på-motstånd som är idealisk för omkopplings- och motordrivenheter. Förpackad i ett kompakt SOP8-format för ytmontering, erbjuder den effektiv prestanda samtidigt som den optimerar utrymmet i elektroniska konstruktioner.
RoHS-kompatibel
Blyplätering utan bly
Halogenfria
100 procent Rg- och UIS-testat
Relaterade länkar
- ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 100 V Förbättring, 6 Ben, SOP-8, SH8
- ROHM Typ P, Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 8 Ben, SOP-8, SH8MD5HT
- ROHM Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 14 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, RRH140P03
- ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 7.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 8.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SH8MA2
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SH8MA4