ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 100 V Förbättring, 6 Ben, SOP-8, SH8
- RS-artikelnummer:
- 264-710
- Tillv. art.nr:
- SH8KE7TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 5 enheter)*
75,82 kr
(exkl. moms)
94,775 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 15,164 kr | 75,82 kr |
| 50 - 95 | 14,426 kr | 72,13 kr |
| 100 - 495 | 13,328 kr | 66,64 kr |
| 500 - 995 | 12,276 kr | 61,38 kr |
| 1000 + | 11,828 kr | 59,14 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-710
- Tillv. art.nr:
- SH8KE7TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | SH8 | |
| Kapseltyp | SOP-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 20.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19.8nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, Halogen Free | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie SH8 | ||
Kapseltyp SOP-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 20.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19.8nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, Halogen Free | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHMs MOSFET med låg påslagningsresistans är idealisk för omkoppling och motorstyrning. Denna produkt innehåller två 100 V Nch MOSFET i ett litet ytmonterat paket (SOP8).
Litet ytmonterat paket (SOP8)
Blyfri plätering; RoHS-kompatibel
Halogenfri
Relaterade länkar
- ROHM 1 Typ N, Typ P Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, SOP-8, SH8
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 500 mA 600 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 13.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- ROHM Dubbel N Kanal, MOSFET, 3.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOP-8, SH8KC5
- ROHM Dubbel N Kanal, MOSFET, 4.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP-8, SH8KB5