STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 750 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, SCT
- RS-artikelnummer:
- 215-239
- Tillv. art.nr:
- SCT060HU75G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 600 enheter)*
53 871,00 kr
(exkl. moms)
67 338,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 600 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 600 + | 89,785 kr | 53 871,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-239
- Tillv. art.nr:
- SCT060HU75G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 30 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 750 V | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 7 | |
| Kapseltyp | HU3PAK | |
| Serie | SCT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 30 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 750 V | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 7 | ||
Kapseltyp HU3PAK | ||
Serie SCT | ||
Typ av fäste Yta | ||
- COO (ursprungsland):
- JP
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using STs Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 750 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, SCT
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 750 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, SCT060HU
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 30 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, Sct AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal N Kanal, MOSFET, 54 A 600 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, STHU60 AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 30 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, STH AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
