STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 750 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, SCT
- RS-artikelnummer:
- 215-239
- Tillv. art.nr:
- SCT060HU75G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 600 enheter)*
53 871,00 kr
(exkl. moms)
67 338,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Håller på att utgå
- Slutlig(a) 600 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 600 + | 89,785 kr | 53 871,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-239
- Tillv. art.nr:
- SCT060HU75G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 750V | |
| Kapseltyp | HU3PAK | |
| Serie | SCT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 750V | ||
Kapseltyp HU3PAK | ||
Serie SCT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
- COO (ursprungsland):
- JP
STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har en mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet i kombination med låga kapaciteter och mycket höga omkopplingsoperationer, vilket förbättrar applikationsprestanda när det gäller frekvens, energieffektivitet, systemstorlek och viktminskning.
Växlingsprestanda med hög hastighet
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 750 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, SCT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 750 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, SCT060HU
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, Sct AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 30 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 54 A 600 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, STHU60 AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT
- STMicroelectronics 1 Typ N Kanal, MOSFET Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, Sct
