IXYS N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar
- RS-artikelnummer:
- 193-492
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-306
- Tillv. art.nr:
- IXFH110N10P
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Få en mängdrabatt
Lägg till 5 till för att spara 6%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
95,87 kr
(exkl. moms)
119,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Begränsat lager
- 9 kvar, redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 95,87 kr | - |
| 5 - 19 | 89,49 kr | 6% |
| 20 - 49 | 84,00 kr | 12% |
| 50 - 99 | 62,27 kr | 35% |
| 100 + | 60,93 kr | 36% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 193-492
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-306
- Tillv. art.nr:
- IXFH110N10P
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 110A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 480W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 21.46mm | |
| Bredd | 5.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 16.26mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 110A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 480W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 21.46mm | ||
Bredd 5.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 16.26mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie
N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar
- IXYS N Kanal, MOSFET, 80 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET
- IXYS N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET
- IXYS N Kanal, MOSFET, 96 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar
- IXYS N Kanal, MOSFET, 170 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar
- IXYS N Kanal, MOSFET, 69 A 300 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar
- IXYS N Kanal, MOSFET, 120 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar
- IXYS N Kanal, MOSFET, 96 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar