STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 4 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PF, STFW4
- RS-artikelnummer:
- 151-933
- Tillv. art.nr:
- STFW4N150
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
72,80 kr
(exkl. moms)
91,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 29 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 72,80 kr |
| 10 - 99 | 42,56 kr |
| 100 + | 35,84 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-933
- Tillv. art.nr:
- STFW4N150
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1500V | |
| Serie | STFW4 | |
| Kapseltyp | TO-3PF | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 44mm | |
| Bredd | 15.7mm | |
| Höjd | 44mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1500V | ||
Serie STFW4 | ||
Kapseltyp TO-3PF | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 44mm | ||
Bredd 15.7mm | ||
Höjd 44mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- KR
STMicroelectronics Power MOSFET är utformad med den konsoliderade remslayouten baserad MESH OVERLAY-processen. Resultatet är en produkt som matchar eller förbättrar prestandan av jämförbara standarddelar från andra tillverkare.
100 % avalanche-testade
Intrinsiska kapacitanser och Qg minimeras
Höghastighetsomkoppling
Helt isolerad TO 3PF-plastförpackning
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 4 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PF, STFW4
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2.5 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PF, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 58 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PF, MDmesh M5
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2.5 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 8 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 4 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2.5 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2.5 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh