ROHM N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PF, R6077VNZ
- RS-artikelnummer:
- 265-5424
- Tillv. art.nr:
- R6077VNZC17
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 300 enheter)*
23 466,30 kr
(exkl. moms)
29 332,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 300 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 300 - 300 | 78,221 kr | 23 466,30 kr |
| 600 - 900 | 69,773 kr | 20 931,90 kr |
| 1200 + | 64,063 kr | 19 218,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 265-5424
- Tillv. art.nr:
- R6077VNZC17
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 29A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | R6077VNZ | |
| Kapseltyp | TO-3PF | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.051Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 108nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 113W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 29A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie R6077VNZ | ||
Kapseltyp TO-3PF | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.051Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 108nC | ||
Maximal effektförlust Pd 113W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM effekt-MOSFET med låg påslagningsresistans och högeffektspaket som är lämplig för omkopplingskretsar, enkelcellsbatterier och mobila tillämpningar. Den är monterad på ett Cu-kort och är även halogenfri.
Snabb omvänd återhämtningstid (trr)
Låg påslagningsresistans
Snabb kopplingshastighet
Drivkretsar kan vara enkla
Halogenfri formblandning
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PF, R6077VNZ
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 23 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PF, R6055VNZ
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PF, R60
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 600 V N, 3 Ben, TO-3PF, R6025JNZ
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 600 V N, 3 Ben, TO-3PF, R6030KNZ
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 600 V N, 3 Ben, TO-3PF, R6050JNZ
- ROHM R6030ENZ N-Channel MOSFET, 30 A, 600 V, 3-Pin TO-3PF R6030ENZC8
- ROHM R6024ENZ N-Channel MOSFET, 24 A, 600 V, 3-Pin TO-3PF R6024ENZC8