STMicroelectronics STGP5H60DF IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

91,62 kr

(exkl. moms)

114,52 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 100 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 90 enhet(er) från den 09 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 409,162 kr91,62 kr
50 - 908,915 kr89,15 kr
100 - 2408,691 kr86,91 kr
250 - 4908,467 kr84,67 kr
500 +8,243 kr82,43 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
906-2808
Tillv. art.nr:
STGP5H60DF
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

10 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

88 W

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.4 x 4.6 x 15.75mm

Energy Rating

221mJ

Gate Capacitance

855pF

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

COO (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

relaterade länkar