STMicroelectronics STGD5H60DF IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

88,03 kr

(exkl. moms)

110,04 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 408,803 kr88,03 kr
50 - 908,344 kr83,44 kr
100 - 2407,515 kr75,15 kr
250 - 4906,776 kr67,76 kr
500 +6,44 kr64,40 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
906-2798
Tillv. art.nr:
STGD5H60DF
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

10 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

83 W

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

6.6 x 6.2 x 2.4mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

221mJ

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Gate Capacitance

855pF

COO (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

relaterade länkar