STMicroelectronics, IGBT Enkel kollektor, 4 A 600 V, 3 Ben, TO-252 1 Yta

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

10,66 kr

(exkl. moms)

13,32 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 300 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 285,33 kr10,66 kr
30 - 584,84 kr9,68 kr
60 - 1184,295 kr8,59 kr
120 - 2383,85 kr7,70 kr
240 +3,45 kr6,90 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
287-7045
Tillv. art.nr:
STGD4H60DF
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

4A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Antal transistorer

1

Maximal effektförlust Pd

75W

Kapseltyp

TO-252

Konfiguration

Enkel kollektor

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.7V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

2.3mm

Bredd

6.7 mm

Längd

1.7mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics Trench gate field stop is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. This device is part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Low thermal resistance

Short circuit rated

Soft and fast recovery antiparallel diode

Relaterade länkar

Recently viewed