onsemi, IGBT, Typ N Kanal, 10 A 430 V, 3 Ben, TO-252 Yta

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

102,14 kr

(exkl. moms)

127,675 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 2 145 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 520,428 kr102,14 kr
10 - 9519,856 kr99,28 kr
100 - 24519,388 kr96,94 kr
250 - 49518,85 kr94,25 kr
500 +18,474 kr92,37 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
862-9347
Tillv. art.nr:
ISL9V2040D3ST
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

10A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

430V

Maximal effektförlust Pd

130W

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±10 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.9V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

EcoSPARK

Energimärkning

200mJ

Fordonsstandard

Nej

Diskreta IGBT:er, Fairchild Semiconductor


Diskreta IGBBT och moduler, Fairchild Semiconductor


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar