Toshiba GT40QR21,F(O IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

53,98 kr

(exkl. moms)

67,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 3 enhet(er) från den 19 januari 2026
  • Dessutom levereras 1 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 453,98 kr
5 +50,40 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
891-2743
Tillv. art.nr:
GT40QR21,F(O
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Toshiba

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±25V

Maximum Power Dissipation

230 W

Package Type

TO-3P

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

2.5MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.5 x 4.5 x 20mm

Gate Capacitance

1500pF

Energy Rating

0.29mJ

Maximum Operating Temperature

175 °C

COO (Country of Origin):
JP

IGBT Discretes, Toshiba



IGBT Discretes & Modules, Toshiba


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

relaterade länkar