onsemi FGA60N65SMD IGBT, 120 A 650 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

64,96 kr

(exkl. moms)

81,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Försörjningsbrist
  • 10 kvar, redo att levereras
  • Plus 2 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
  • Dessutom levereras 235 enhet(er) från den 09 januari 2026
Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.
Enheter
Per enhet
1 - 964,96 kr
10 +55,89 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
864-8795
Tillv. art.nr:
FGA60N65SMD
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

120 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

600 W

Package Type

TO-3PN

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.8 x 5 x 20.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor



IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

relaterade länkar