onsemi FGA40N65SMD IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

113,34 kr

(exkl. moms)

141,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Begränsat lager
  • Dessutom levereras 22 enhet(er) från den 05 januari 2026
  • Dessutom levereras 6 enhet(er) från den 12 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1856,67 kr113,34 kr
20 +48,83 kr97,66 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
864-8782
Tillv. art.nr:
FGA40N65SMD
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

349 W

Package Type

TO-3PN

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

16.2 x 5 x 20.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor



IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

relaterade länkar