onsemi FGA60N65SMD IGBT, 120 A 650 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 187,64 kr

(exkl. moms)

1 484,55 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Försörjningsbrist
  • Dessutom levereras 180 enhet(er) från den 28 januari 2026
Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.
Enheter
Per enhet
Per Rør*
30 - 9039,588 kr1 187,64 kr
120 - 24034,802 kr1 044,06 kr
270 - 48033,966 kr1 018,98 kr
510 +30,165 kr904,95 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
166-2181
Tillv. art.nr:
FGA60N65SMD
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

120 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

600 W

Package Type

TO-3PN

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.8 x 5 x 20.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor



IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Relaterade länkar