STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 30 A 390 V 1 MHz, 3 Ben, TO-252 Yta

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 5 enheter)*

73,25 kr

(exkl. moms)

91,55 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 2 470 enhet(er) levereras från den 25 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
5 - 2014,65 kr73,25 kr
25 - 4513,888 kr69,44 kr
50 - 12012,50 kr62,50 kr
125 - 24511,244 kr56,22 kr
250 +10,708 kr53,54 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
795-9019
Tillv. art.nr:
STGD18N40LZT4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

30A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

390V

Maximal effektförlust Pd

150W

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

16 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.7V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

STGD18N40LZ

Standarder/godkännanden

AEC Q101

Bredd

6.2 mm

Höjd

2.4mm

Längd

6.6mm

Energimärkning

180mJ

Fordonsstandard

AEC-Q101

IGBT Discretes, STMicroelectronics


Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar