STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 25 A 450 V 8.4 μs, 3 Ben, TO-252 Yta
- RS-artikelnummer:
- 164-7025
- Tillv. art.nr:
- STGD20N45LZAG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
96,10 kr
(exkl. moms)
120,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 19,22 kr | 96,10 kr |
| 25 - 45 | 18,256 kr | 91,28 kr |
| 50 - 120 | 16,42 kr | 82,10 kr |
| 125 - 245 | 14,784 kr | 73,92 kr |
| 250 + | 14,022 kr | 70,11 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 164-7025
- Tillv. art.nr:
- STGD20N45LZAG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 25A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 450V | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 8.4μs | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.55V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 16 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Längd | 6.6mm | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Serie | Automotive Grade | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Energimärkning | 300mJ | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 25A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 450V | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 8.4μs | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.55V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 16 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Längd 6.6mm | ||
Höjd 2.4mm | ||
Serie Automotive Grade | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Energimärkning 300mJ | ||
This application-specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology optimized for coil driving in the harsh environment of automotive ignition systems. These devices show very low on-state voltage and very high SCIS energy capability over a wide operating temperature range. Moreover, ESD-protected logic level gate input and an integrated gate resistor means no external protection circuitry is required.
SCIS energy of 300 mJ @ TJ = 25 °C
Parts are 100% tested in SCIS
ESD gate-emitter protection
Gate-collector high voltage clamping
Logic level gate drive
Very low saturation voltage
High pulsed current capability
Gate and gate-emitter resistor
Relaterade länkar
- STMicroelectronics AEC-Q101 Typ N Kanal 3 Ben, TO-252 Yta
- STMicroelectronics AEC-Q101 Typ N Kanal 3 Ben, TO-263 Yta
- STMicroelectronics AEC-Q101 Typ N Kanal 3 Ben, TO-252 Yta
- STMicroelectronics 3 Ben
- STMicroelectronics Typ N Kanal 3 Ben, TO-263 Yta
- ROHM AEC-Q101 Fältstopp dike Kanal 3 Ben, TO-263L Yta
- STMicroelectronics Typ N Kanal 3 Ben, TO-220FP Genomgående hål
- STMicroelectronics Typ N Kanal 3 Ben, TO-252 Yta