STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

190,18 kr

(exkl. moms)

237,725 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 195 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 538,036 kr190,18 kr
10 - 2032,928 kr164,64 kr
25 - 9531,606 kr158,03 kr
100 - 49525,76 kr128,80 kr
500 +22,624 kr113,12 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
791-9374
Tillv. art.nr:
STGW20V60DF
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

40A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

167W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

V

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

5.15 mm

Höjd

20.15mm

Längd

15.75mm

Fordonsstandard

Nej

IGBT Discretes, STMicroelectronics


Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar