Infineon, Krafthalvledare, Typ N Kanal, 75 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

50,85 kr

(exkl. moms)

63,56 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 218 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 950,85 kr
10 - 2443,68 kr
25 - 4940,77 kr
50 - 9938,19 kr
100 +35,06 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
754-5395
Tillv. art.nr:
IGW75N60TFKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

75A

Produkttyp

Krafthalvledare

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

428W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

JEDEC J-STD-020 and JESD-022, RoHS

Serie

TrenchStop

Fordonsstandard

Nej

Infineon TrenchStop IGBT-transistorer, 600 och 650V


En serie IGBT-transistorer från Infineon med kollektor-emitterspänning på 600 och 650 V med TrenchStop™-teknik. Sortimentet omfattar enheter med en integrerad antiparallelldiod med hög hastighet och snabb återställning.

• Spänningsområde kollektor-emitter 600 till 650 V

• Mycket låg VCEsat

• Låga avstängningsförluster

• Kort svansström

• Låg EMI

• Maximal anslutningstemperatur 175°C

Diskreta IGBBT-enheter och moduler, Infineon


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Recently viewed