Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 75 A 600 V 20 kHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

RS-artikelnummer:: 911-4789
Tillv. art.nr:: IKW75N60TFKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 75 A 600 V 20 kHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 632,96 kr

(exkl. moms)

2 041,20 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Tillfälligt slut

240 enhet(er) levereras från den 12 mars 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
30 - 30	54,432 kr	1 632,96 kr
60 - 120	52,255 kr	1 567,65 kr
150 +	50,62 kr	1 518,60 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 911-4789
Tillv. art.nr:: IKW75N60TFKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	IGBT
	Maximal kontinuerlig kollektorström Ic	75A
	Maximal kollektor-emitterspänning Vceo	600V
	Maximal effektförlust Pd	428W
	Kapseltyp	TO-247
	Fästetyp	Genomgående hål
	Kanaltyp	Typ N
	Antal ben	3
	Maximal spänning för gate-emitter VGEO	20 V
	Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT	2V
	Minsta arbetsstemperatur	-40°C
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS, JEDEC, Pb-free lead plating
	Serie	TrenchStop
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp IGBT
	Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 75A
	Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V
	Maximal effektförlust Pd 428W
	Kapseltyp TO-247
	Fästetyp Genomgående hål
	Kanaltyp Typ N
	Antal ben 3
	Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V
	Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V
	Minsta arbetsstemperatur -40°C
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS, JEDEC, Pb-free lead plating
	Serie TrenchStop
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: GB

Infineon IGBT, 80A Maximum Continuous Collector Current, 600V Maximum Collector Emitter Voltage - IKW75N60TFKSA1

This IGBT is a high-performance semiconductor component designed for power electronics applications. With a maximum continuous collector current of 80A, it operates efficiently in high-voltage environments, rated for 600V. The device is packaged in a TO-247 format, ideal for through-hole mounting.

Features & Benefits

• Low collector-emitter saturation voltage enhances efficiency

• High switching speed reduces energy loss during operation

• Positive temperature coefficient ensures stable performance

• Compatible with a wide temperature range from -40°C to +175°C

Applications

• Suitable for use in frequency converters in industrial settings

• Ideal for uninterruptible power supply systems

• Utilised in motor control for automation

• Effective for renewable energy systems to ensure efficiency

What are the implications of short circuit withstand time for my application?

The short circuit withstand time of 5μs allows for reliable protection in applications that may encounter fault conditions, ensuring that the device can endure brief overcurrent situations without immediate failure.

How does the high switching speed impact system efficiency?

A high switching speed of 20kHz minimises energy losses during transitions, significantly improving overall system efficiency and performance, particularly in fast-response applications.

What are the thermal management considerations for optimal performance?

Thermal resistance values indicate effective heat dissipation from junction to case; managing junction temperatures within specified limits is crucial to maintain reliable operation and extend component lifespan.