Infineon, Krafthalvledare, N Kanal, 30 A 1.2 kV, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 914-0211
- Tillv. art.nr:
- IGW15T120FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 4 enheter)*
233,30 kr
(exkl. moms)
291,62 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 16 december 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | 58,325 kr | 233,30 kr |
| 20 - 36 | 55,413 kr | 221,65 kr |
| 40 - 96 | 53,088 kr | 212,35 kr |
| 100 - 196 | 49,56 kr | 198,24 kr |
| 200 + | 46,675 kr | 186,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 914-0211
- Tillv. art.nr:
- IGW15T120FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 30A | |
| Produkttyp | Krafthalvledare | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1.2kV | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.2V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC1, Pb-free lead plating, RoHS | |
| Serie | TrenchStop | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Energimärkning | 4.1mJ | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 30A | ||
Produkttyp Krafthalvledare | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1.2kV | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.2V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC1, Pb-free lead plating, RoHS | ||
Serie TrenchStop | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Energimärkning 4.1mJ | ||
Infineon TrenchStop IGBT-transistorer, 1100 till 1600V
Ett sortiment av IGBT-transistorer från Infineon med spänning mellan kollektor och emitter på 1100 till 1600 V med TrenchStop™-teknik. Sortimentet omfattar enheter med en integrerad antiparallelldiod med hög hastighet och snabb återställning.
• Spänningsområde kollektor-emitter 1100 till 1600V
• Mycket låg VCEsat
• Låga avstängningsförluster
• Kort svansström
• Låg EMI
• Maximal anslutningstemperatur 175°C
Diskreta IGBBT-enheter och moduler, Infineon
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.
Relaterade länkar
- Infineon, Krafthalvledare, N Kanal, 30 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, Krafthalvledare, N Kanal, 75 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 81 A 1200 V, TO-247
- Infineon, IGBT, N Kanal, 30 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal 1200 V, 3 Ben, PG-TO-247-3-PLUS-N Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 50 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 40 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 40 A 1200 V, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål