STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 10 A 375 V 8 μs, 3 Ben, TO-263 Yta

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

104,83 kr

(exkl. moms)

131,038 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
I lager
  • 142 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 852,415 kr104,83 kr
10 - 1849,785 kr99,57 kr
20 - 4844,80 kr89,60 kr
50 - 9840,375 kr80,75 kr
100 +38,36 kr76,72 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
686-8341
Tillv. art.nr:
STGB10NB37LZT4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

10A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

375V

Maximal effektförlust Pd

125W

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

8μs

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.8V

Minsta arbetsstemperatur

-65°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

12 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

4.6mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

10.4 mm

Längd

28.9mm

Fordonsstandard

Nej

IGBT Discretes, STMicroelectronics


Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Recently viewed