STMicroelectronics, IGBT Enkel kollektor, 4 A 600 V, 3 Ben, TO-252 1 Yta

Se alla IGBT:er

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

10 007,50 kr

(exkl. moms)

12 510,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 15 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +4,003 kr10 007,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
287-7044
Tillv. art.nr:
STGD4H60DF
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

4A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Antal transistorer

1

Maximal effektförlust Pd

75W

Kapseltyp

TO-252

Konfiguration

Enkel kollektor

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.7V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

2.3mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

6.7mm

Längd

1.7mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics Trench gate fältstop är en IGBT som utvecklats med en avancerad proprietär trunk grind fältstoppsstruktur. Denna enhet är en del av H-serien av IGBT, som representerar en optimal kompromiss mellan ledning och omkopplingsförluster för att maximera effektiviteten hos högfrekvensomvandlare. Dessutom resulterar en något positiv VCE(sat)-temperaturkoefficient och en mycket snäv parameterfördelning i säkrare parallell drift.

Låg värmeresistans

Kortslutningsvärde

Mjuk och snabb antiparallelldiod för återhämtning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.