Infineon, IGBT-modul, 117 A 650 V, Modul Panel

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

950,10 kr

(exkl. moms)

1 187,62 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 14 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 4950,10 kr
5 - 9931,17 kr
10 - 99863,97 kr
100 - 249791,84 kr
250 +731,02 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-7363
Tillv. art.nr:
F3L100R07W2E3B11BOMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

117A

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

300W

Kapseltyp

Modul

Fästetyp

Panel

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.9V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

16.4mm

Bredd

56.7 mm

Längd

62.8mm

Standarder/godkännanden

UL (E83335)

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IGBT module has 650 V VCES, 100 A continuous DC collector current 3 level phase leg phase leg IGBT module with TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 diode, NTC and Press FIT Contact Technology. This IGBT module increased blocking voltage capability to 650V and available with Al2O3 substrate with low thermal resistance.

Low VCEsat

Compact design

Rugged mounting

Low inductive design

Low Switching Losses

Relaterade länkar